图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

MPSA06RLRA 

产品描述

Transistors Bipolar - BJT 500mA 80V NPN

内部编号

277-MPSA06RLRA

生产厂商

ON Semiconductor

onsemi

#1

数量:61435
1+¥0.3082
25+¥0.2311
100+¥0.2311
500+¥0.2311
1000+¥0.2311
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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MPSA06RLRA产品详细规格

规格书 MPSA06RLRA datasheet 规格书
MPSA05(06,55,56)
文档 Multiple Devices 21/Jan/2010
Rohs Contains lead / RoHS non-compliant
产品更改通知 Product Obsolescence 21/Jan/2010
标准包装 10
晶体管类型 NPN
- 集电极电流(Ic)(最大) 500mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 80V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 250mV @ 10mA, 100mA
电流 - 集电极截止(最大) 100nA
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 100 @ 100mA, 1V
功率 - 最大 625mW
频率转换 100MHz
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
供应商器件封装 TO-92-3
包装材料 Cut Tape (CT)
集电极最大直流电流 0.5
最小直流电流增益 100@10mA@1V|100@100mA@1V
最高工作温度 150
标准包装名称 TO-92
最低工作温度 -55
最大功率耗散 625
最大基地发射极电压 4
Maximum Transition Frequency 100(Min)
封装 Tape and Reel
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 80
供应商封装形式 TO-92
最大集电极发射极电压 80
类型 NPN
引脚数 3
铅形状 Formed
电流 - 集电极( Ic)(最大) 500mA
晶体管类型 NPN
安装类型 Through Hole
频率 - 转换 100MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 250mV @ 10mA, 100mA
电流 - 集电极截止(最大) 100nA
标准包装 10
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 80V
供应商设备封装 TO-92-3
功率 - 最大 625mW
封装/外壳 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 100 @ 100mA, 1V
其他名称 MPSA06RLRAOSCT
RoHS指令 Contains lead / RoHS non-compliant

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